Теории штерна, петровского, валлона — справочник студента

Рис. П.П. Схема строения двойного электрического слоя, но теории Штерна

Рис. 89. Модель двойного электрического слоя согласно теории Штерна

    Теория Штерна позволяет правильно истолковать зависимость формы электрокапиллярной криной от концентрации и природы присутствующих электролитов, хотя, как это было показано [c.270]

    Теория Штерна дает качественно правильную картину двойного электрического слоя. Она широко используется при рассмотрении тех электрохимических явлений, в которых структура двойного слоя играет существенную роль. Но теория Штерна, как это отмечал сам автор, не свободна от мсдостатков. К их числу относятся невозможность количественного описания емкостных кривых — экспериментальные и расчетные кривые отклоняются друг от друга, особенно при удалении от потенциала нулевого заряда, несовместимость некоторых из ее основтых положений, например сохранение заряда в плотном слое при отсутствии специфической адсорбции, и т. д. [c.270]

    Было предложено несколько теорий образования ДЭС, из которых наиболее известными являются модели Гельмгольца (так называемая модель плоского конденсатора) и модель Гуи-Чепмена. Современные представления о структуре ДЭС базируются на теории Штерна, согласно которой противоионы находятся в двух положениях одна их часть образует адсорбционный слой (так назы- [c.71]

    Теория Штерна. В 1924 г. Штерн предложил схему строения двойного электрического слоя, в которой он объединил схемы Гельмгольца — Перрена и Гуи — Чэпмена. Разрабатывая теорию двойного электрического слоя, Штерн исходил из двух предпосылок. Во-первых, он принял, что ионы имеют конечные, вполне определенные размеры и. следовательно, центры ионов не могут находиться к поверхности твердой фазы ближе, чем на расстоянии ионного радиуса. Вд-втррых, Штерн учел специфическое, не электрическое взаимодействие ионов с поверхностью твердой фазы. Это взаимодействие обусловлено наличием на некотором малом расстоянии от поверхности поля молекулярных (адсорбционных) сил. Как будет показано при обсуждении причин устойчивости и коагуляции коллоидных систем, молекулярные силы, действующие между телами, состоящими из множества молекул, вследствие своей аддитивности являются относительно дальнодействующими. [c.184]     При построении количественной теории Штерн использовал тот факт, что адсорбционные силы резко спадают с расстоянием. Это позволяет предположить, что их роль целиком исчерпывается на расстоянии х = А порядка одного-двух диаметров иона, а при х>А ионы распределены в соответствии с требованием теории Гуи—Чепмена. В таком случае условие электронейтральности системы должно иметь вид [c.153]

    Теория Штерна оказалась полезной при объяснении ряда фактов из области электрокапиллярных и электрокинетических явлений. Она позволяет рассчитать емкость двойного слоя, согласующуюся с опытом.

Недостаток теории Штерна заключается в том, что в ней не учитывается взаимодействие частиц, образующих двойной слой. Кроме того, величина гр, входящая в уравнение Штерна (XV.27), не может быть определена экспериментальным путем.

 [c.420]

    Уравнения (II. 109) и (II. ПО) учитывают специфическую адсорбцию только противоионов. При невысоких концентрациях электролита можно пренебречь единицей в знаменателе уравнения (II. 110). Таким образом, теория Штерна (II. ПО) и теория Гун — Чепмена (11.

105) позволяют рассчитать соответственно заряд в плотном и диффузном слоях.

Рассчитанные с учетом этих уравнений значения емкости двойного электрического слоя для различных концентраций электролитов удовлетворительно совпадают с результатами, полученными по данным электрокапиллярных измерений. [c.61]

    Согласно теории Штерна при отсутствии специфической адсорбции заряд плотного слоя, приходящийся на 1 см , не обращается в нуль. Однако если нет сил специфической адсорбции, то ионы должны находиться в диффузном слое и заряд плотного слоя должен был бы стать равным нулю. [c.420]

    Особенно коагуляционно-активны сильно адсорбирующиеся органические ионы, которые, по теории Штерна, вызывают большое понижение -потенциала. [c.197]

    Значения емкости двойного электрического слоя, вычисленные по теории Штерна с учетом радиусов ионов, оказались близкими к экспериментально найденным, и, таким образом, эта теория преодолела один из недостатков, присущий теории Гуи —Чэпмена.

Далее, в отличие от теории Гуи — Чэпмена, теория Штерна может объяснить причину изменения знака электрокинетического потенциала при введении в систему м оговйЛёктньТх ионов, заряд которых противоположен по знаку заряду дисперсной фазы. Такие многовалентные ионы втягиваются в адсорбционный .г.

лпй как из-за сильных электростатических взаимодействий, так и из-за большой адсорбируемости, связанной с поляризуемостью таких ионов. Ионы [c.188]

    По абсолютной величине заряд о на твердой поверхности, согласно теории Штерна, равен сумме заряда ионов, находящихся в адсорбционном слое и заряда диффузной части двойного слоя ь- [c.187]

    При очень большом адсорбционном потенциале ионы, заряд которых по знаку противоположен заряду дисперсной фазы, могут вызвать перезарядку коллоидных частиц. Это явление было рассмотрено при изложении теории Штерна. [c.192]

    Согласно теории Штерна, часть противоионов находится в непосредственном соприкосновении с ионами твердой фазы, образуя плотный слой другая часть противоионов составляет диффузный слой. Обычное схематическое изображение распределения этих ионов приведено на рис. 72, б, где, в отличие от 72, а, показаны не все ионы, содержащиеся в растворе, а только избыточные. [c.177]

    Сочетание формул (23.1), (23.3), (23.6) и (23.9) позволяет записать основное уравнение теории Штерна для 1,1-валентного электролита  [c.112]

    Проверка теории Штерна была проведена Фрумкиным и Ворсиной, которые предположили, что специфическая адсорбция ионов отсутствует и, следовательно, Ф+=Ф =0. При этом уравнение (23.10) принимает вид [c.112]

    Как видно из уравнения (25), величина заряда ионной обкладки двойного слоя, находящейся в жидкости, по теории Штерна состоит из двух слагаемых, из которых одно выражает заряд адсорбированных ионов, а другое — заряд ионов, притянутых к поверхности только электростатическими силами. Как было показано Штерном, рассчитанные по этому уравнению емкости двойного слоя для широкого интервала концентраций электролита из данных по электрокапиллярным кривым дают весьма удовлетворительное совпадение с экспериментом. [c.44]

    Согласно теории Штерна емкость К% является постоянной величиной. В действительности необходимо учитывать, что К1 изменяется с потенциалом. Это изменение связано с заменой анионов в двойном слое на катионы при переходе от положительных зарядов электрода [c.112]

    Предпосылки теории Штерна можно сформулировать следующим образом. Ионы, компенсирующие заряд поверхности металла, делятся на две части. Одна часть непосредственно примыкает к электроду и образует так называемый плотный или гельмгольцевский слой.

Центры этих ионов удалены от поверхности на расстояние их среднего радиуса с1. Заряд этих ионов, приходящийся на 1 м , равен Другая часть ионов участвует в тепловом движении и образует диффузный слой. Центры этих ионов могут находиться на любом расстоянии от поверхности их заряд в расчете на 1 м равен дз.

В силу электронейтральности [c.110]

    Поскольку теория Штерна учитывает наличие плотного адсорбционного слоя ионов, это позволяет выявить влияние их гидрата-цин на qr, а учет специфической адсорбции ионов дает возможность объяснить перезарядку поверхности ири наличии в растворе иротивоиона, обладающего большим адсорбционным потенциалом. Лучше адсорбируются и ближе подходят к поверхности менее гидратированные ионы, которые по этой причине значительнее компенсируют поверхностный потенциал, и их соответственно меньше будет в диффузном слое. [c.61]

    Наиболее точное описание распределения объемной плотности заряда в двойном электрическом слое дает теория Штерна.

Ограничимся случаем, когда потенциал ф имеет малое значение, и его изменение следует приведенному ранее уравнению (11.97)  [c.326]

    Выше учитывалась зависимость г 31-потенциала только от концентрации электролита и игнорировалась его зависимость от заряда электрода. Это допущение не внесло существенных ошибок только потому, что при значительном удалении от п, н. з.

зависимосты )о-, а следовательно, и 1 )1-потенциала от заряда д имеет логарифмический характер (см. рис. 64). Использование теорий Штерна или Грэма позволяет учесть зависимость г Зо от потенциала и тем самым улучшить согласие теории и опыта. [c.

253]

    Теория Штерна (рис. 11.11,6) позволяет выделять адсорбционный и диффузный слои с потенциалами фь и возникающими соответственно на расстояниях б и Д от межфазной границы.

Диффузный слой обладает теми же свойствами, что и слой Гуи—Чапмена (повышение концентрации электролитов приводит к его сжатию, причем сжимаемость увеличивается с ростом валентности).

Это позволило дать четкое определение понятия -потенциала, представляющего собой скачок потенциала на границе адсорбционного и диффузного слоев по сравнению с объемом раствора. Такое определение означает, что под действием внешнего электрического поля перемещаются ионы диффузного [c.56]

    Проведем сначала качественное сопоставление выводов, вытекающих из уравнения (23.10), с опытными данными. При этом можно ограничиться рассмотрением явлений специфической адсорбции, когда результаты опыта не могут быть качественно объяснены на основе теории Гуи — Чапмена. В теории Штерна эти явления учитываются при помощи величин Ф+ и Ф .

н. з. при переходе от раствора поверхностно-неактивного электролита к раствору, содержащему специфически адсорбирующиеся ионы. Распределение потенциала в двойном слое представлено на рис. 60, б.

На самом деле из-за дискретного характера специфически адсорбированных ионов распределение потенциала у поверхности незаряженного электрода оказывается иным, нежели это предсказывает теория Штерна. Если принять, что Ф 0, то можно объяснить перезарядку поверхности в присутствии специфически адсорбированных анионов, когда .

Характерное распределение потенциала в двойном (точнее тройном) слое представлено на рис. 60, в. Величины фо и гр здесь имеют разные знаки, что позволяет объяснить положительную адсорбцию катионов при д>0. [c.112]

    Проверка теории проводилась при помощи измерений дифференциальной емкости двойного слоя. Для расчета С, фо-кривых по теории Штерна можно воспользоваться следующим приемом  [c.113]

    Из изложенного выше видно, что теория Штерна соответствует результатам экспериментальных наблюдений лучше, чем теория Гуи — Чэпмена.

Благодаря уточнению роли размера ионов и введения представления об адсорбционном потенциале, она может объяснить ряд специфических особенностей действия тех или иных электролитов на двойной электрический слой и электрокинетический потенциал.

Однако необходимо указать, что и эта теория не является совершенной, поскольку она исходит из ряда допущений и в ней имеется много неопределенностей, например, допущение о независимости адсорбционного пптрнпияля пт кnнттpнтpяпил-Jнтn едва ли вероятно.» Следует также заметить, что представления [c.189]

    Использование теории Гуи — Чэпмена в ее первоначальной форме пренебрегает такими моментами, как дискретность заряда иона, конечный радиус иона, местная диэлектрическая поляризация среды и т. д. Ясность по этому вопросу внесена Хейдоном (1964) и Снарнейем (1962).

Наиболее важное уточнение учитывает специфическую адсорбцию противоинов по теории Штерна последующее уточнение проведено Вервеем и Овербеком (1948).

Однако с точки зрения стабильности коллоидов адсорбция Штерна способствует уменьшению эффективного поверхностного потенциала, применяемого для вычисления энергии взаимодействия, которое в любом случае ограничено довольно малыми значениями. [c.98]

    В приближении Штерна за величину -потенциала можно приближенно принять падение потенциала в диффузной части двойного слоя. Таким образом, в этой теории -потенциал не равен потенгигалу фо, что и наблюдается на опыте. Поэтому теория Штерна может объяснить перезарядку поверхности твердого тела н из менение знака величины электрокинетического потенциала, [c.422]

Источник: https://www.chem21.info/info/6392/

Теории Штерна, Петровского, Валлона

Добрый вечер, дорогие эксперты!
Наша команда специалистов рада приветствовать на образовательном портале, где мы оказываем помощь в вопросах, связанные с самыми популярными дисциплинами, такими как русский язык, физика, психология и т.д. Вас интересует, в чем заключается суть теории Штерна, Петровского, Валлона? Жду вашего мнения…
 

В начале хочется отметить, что психология многоступенчатая и многоуровневая. И для того, чтобы ее усвоить наиболее эффективно, рассмотрим следующие понятия, к которым мы будем обращаться по мере разбора данной темы: ЛИЧНОСТЬ, ПСИХОЛОГИЯ, ТЕОРИЯ, ОПРЕДЕЛЕНИЕ.  

1. ЛИЧНОСТЬ – это относительно устойчивая целостная система интеллектуальных, морально-волевых и социально-культурных качеств человека, выраженных в индивидуальных особенностях его сознания и деятельности
2. ПСИХОЛОГИЯ – это сложная и многоуровневая наука, которая изучает закономерности возникновения, развития, а также функционирования психики человека, а также группы людей.
3. ТЕОРИЯ – это такое учение, система идей или принципов. Является совокупностью обобщённых положений, образующих науку или её раздел.
4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ – это в синтаксисе второстепенный член предложения, обозначающий признак, качество, свойство предмета.

 
Каков смысл теории Штерна, Петровского и Валлона? Так, Штерн считал, что личность – это самоопределяющаяся, сознательно и целенаправленно действующая целостность (некая система), обладающая определенной глубиной (сознательные и бессознательный слой). Он исходил из того, что психическое развитие – это саморазвитие, которое направляется и определяется той средой, в которой живет ребенок.
 

В этой теории учитывается роль наследственности и среды в психическом развитии.

Так, влияние этих двух факторов Штерн анализировал на примере некоторых основных видов деятельности детей, главным образом, игры.

Он впервые выделил содержание и форму игровой деятельности, доказывая, что форма является неизменной и связана с врожденными качествами, для упражнения которых и создана игра.

 

Надеюсь, что данный урок прошел для Вас познавательно, информативно, а главное интересно. Полагаю, что Вы смогли подчеркнуть для себя что-то полезное.

Если же остались какие-то незатронутые вопросы, помните, что Вы всегда можете задать волнующий вас вопрос, наша команда будет рада его рассмотреть и обосновать.

Удачи и успехов в творческой деятельности!

Источник: http://ru.solverbook.com/question/teorii-shterna-petrovskogo-vallona/

Теория Штерна

степени. Однако опыт показывает, что это не так.

Эффективность действия ионов одной и той же валентности на двойной электрический слой возрастает с увеличением радиуса иона.

Наконец, теория Гуи — Чэпмена, относительно хорошо приложима в случае достаточно разбавленных коллоидных растворов, оказывается неприемлемой для более концентрированных

В 1924 г. Штерн предложил схему строения двойного электрического слоя, в которой он объединил схемы Гельмгольца-Перрена и Гуи—Чэпмена. Разрабатывая теорию двойного электрического слоя, Штерн исходил из двух предпосылок.

Во-первых, он принял, что ионы имеют конечные, вполне определенные размеры и, следовательно, центры ионов не могут — находиться к поверхности твердой фазы ближе, чем на расстоянии ионного радиуса. Во-вторых, Штерн учел специфическое, не электрическое взаимодействие ионов с поверхностью твердой фазы.

Это взаимодействие обусловлено наличием на некотором малом расстоянии от поверхности поля молекулярных (адсорбционных) сил.

Рисунок 22 – Схема строения двойного электрического слоя по Штерну

Согласно Штерну, первый слой или даже несколько первых слоев противоионов притягиваются к стенке по влиянием как электростатических, так и адсорбционных сил.

В результате этого часть противоионов удерживается поверхностью на очень близком расстоянии, порядка 1—2 молекул, образуя плоский конденсатор предусмотренный теорией Гельмгольца — Перрена.

Где С – емкость плотной части ДЭС Остальные противоионы, нужные для компенсации потенциалопределяющих ионов, в

результате теплового разбрасывания образуют диффузную часть двойного слоя, в которой они распределены согласно тем же законам, что и в диффузном слое Гуи — Чэпмена. Эту часть двойного слоя, в которой потенциал падает относительно постепенно, иногда называют слоем Гуи.

Из схемы можно видеть, что полное падение потенциала φо слагается из падения потенциала φδ в диффузной части двойного слоя и разности потенциалов (φ0— φδ) между обкладками конденсатора, Место границы скольжения в таком слое остается до сих пор неясным, Некоторые авторы принимают, что она совпадает с границей между слоем Гельмгольца и слоем Гуи. Однако в общем случае ее можно представить себе находящейся в слое Гуи, (граница скольжения обозначена пунктирной линией АВ). Таким образом, потенциал на границе слоя Гельмгольца и слоя Гуи не обязательно должен быть равен ζ-потенциалу. Потенциал в диффузной части ДЭС снижается с расстоянием по экспоненте согласно уравнению Гуи-Чепмена:

Понятно, что с введением электролитов в систему диффузный слой будет сжиматься и все большее и большее число противоионов будет попадать в адсорбционный слой. Двойной

электрический слой, согласно взглядам Штерна, при этом все больше приближается к слою, предусмотренному в теории Гельмгольца — Перрена, а ζ-потенциал уменьшается, постепенно приближаясь к нулю. При разбавлении системы, наоборот, диффузный слой расширяется и ζ- потенциал возрастает.

Толщина диффузионного слоя соответствует расстоянию, на котором потенциал диффузионной части ДЭС ϕδ уменьшается в е раз и равна:

На распределение ионов в двойном электрическом слое по теории Штерна сильно влияет природа противоионов. Если противоионы обладают различной валентностью, то толщина диффузного слоя и число противоионов в адсорбционном слое определяются, главным образом, валентностью ионов и, следовательно, обусловливаются электростатическими силами.

Если противоионы имеют одинаковую валентность, толщина двойного электрического слоя и число противоионов в диффузном слое определяются специфической адсорбционной способностью ионов, обусловленной их поляризуемостью и гидратацией. Эти свойства ионов определяются их истинным радиусом или, что то же, положением соответствующих элементов в таблице Д.

И. Менделеева. Большая поляризуемость иона, должна способствовать уменьшению толщины двойного электрического слоя, поскольку при этом возникают дополнительные адсорбционные силы между твердой фазой и индуцированным диполем и, кроме того, ион может ближе подойти к поверхности.

Так как деформируемость иона увеличивается с его размерами и поскольку радиусы анионов вообще значительно больше радиусов катионов, поляризуемость анионов обычно больше, чем катионов.

Значения емкости двойного электрического слоя, вычисленные по теории Штерна с учетом радиусов ионов, оказались близкими к экспериментально найденным, и, таким образом, эта теория преодолела один из недостатков, присущий теории Гуи —Чэпмена.

Далее, в отличие от теории Гуи —Чэпмена, теория Штёрна может объяснить причину изменения знака электрокинетического потенциала при введении в систему многовалентных ионов, заряд которых противоположен по знаку заряду дисперсной фаза.

Такие многовалентные ноны втягиваются в адсорбционный слой как из-за сильных электростатических взаимодействий, так и из-за большой адсорбируемости, связанной с поляризуемостью таких Ионов. Ионы могут адсорбироваться в таком количестве что не. только нейтрализуют заряд твердой поверхности. но и перезаряжают частицу.

Рисунок 23 – Изменение потенциала поверхности при перезарядке коллоидной частицы

В результате характер падения потенциала в двойном электрическом слое изменится коренным образом, а φ- и ζ-потенциалы меняют знак на обратный. Для перезарядки частиц, имеющих отрицательный ζ-потенциал, особенно часто применяют многовалентные ионы.

независимости адсорбционного потенциала от концентрации, что едва ли вероятно. Следует также заметить, что представления о плоскости скольжения в двойном электрическом слое весьма условны.

Формула мицеллы

• Рассмотрим образование мицеллы на примере золя AgI.
• В процессе получения золя по реакции AgNO3 + NaI → AgI + NaNO3 при соблюдении определенных условий синтеза (разбавленные растворы, интенсивное перемешивание) AgI формируется не в виде осадка, образованного крупными частицами, а в виде высокодисперсных (наноразмерных) частиц, которые называют агрегатами. Избыточная энергия образовавшихся частиц приводит к тому, что на них стремятся адсорбироваться молекулы воды и присутствующие
• врастворе ионы.
• Вобщем случае при синтезе реагенты берутся не в строго эквивалентных соотношениях.

Пусть в реакционной смеси имеется избыток AgNO3 по сравнению со стехиометрическим количеством. В результате реакции всё имеющееся в системе количество иодид-ионов удаляется из раствора и переходит в нерастворимое соединение. Тогда в растворе остаются только ионы

NO3-, Ag+ и Na+. Возникает вопрос, какие же именно ионы будут адсорбироваться на агрегате AgI? Теоретически, любые ионы, чей химический потенциал в растворе выше их потенциала в твердых частицах, будут стремиться адсорбироваться на поверхности агрегата.

Однако логично предположить, что наиболее «охотно» будут адсорбироваться именно те ионы, которые будут образовывать наиболее прочную связь с ионами, входящими в состав агрегата.

Очевидно, что такими ионами являются ионы, которые способны достраивать на поверхности частицы кристаллическую решетку нерастворимого соединения (насыщать оборванные связи на поверхности частицы). Описанная закономерность известна как правило Пескова-Панета-Фаянса.

В результате достраивания решетки между адсорбированными ионами и агрегатом образуются прочные химические связи со значительной долей ковалентности. В данном примере такими ионами могут быть только ионы Ag+. В общем случае, достроить решетку нерастворимого соединения способны не только ионы, входящие в состав соединения, но и другие ионы, которые

1. близки по свойствам и размерам (изоморфны) адсорбирующимся ионам (например, ионы Mg2+ и Sr2+ изоморфны ионам Ca2+, а ионы I- и Br- изоморфны иону Cl-). Ионы NO3- и Na+,
2. присутствующие в рассматриваемой реакционной системе наряду с ионами Ag+, способны притягиваться к агрегату лишь за счет электростатического взаимодействия (особенно слабого с учетом того, что агрегат электрически нейтрален), и, соответственно, уступают место ионам Ag+ на поверхности агрегата.
3. [AgI]m – агрегат
4. [AgI]m nAg+ – ядро

{[AgI]m nAg+ (n-x)NO3-}x+ – коллоидная частица

{[AgI]m nAg+ (n-x)NO3-}x+ xNO3- – мицелла.

Таким образом, ионы Ag+ прочно связываются с агрегатом и, будучи заряженными, придают заряд и агрегату (равный произведению заряда иона на количество ионов). Поэтому такие ионы называются потенциалопределяющими (ПОИ); т. е. они определяют заряд ядра (ядром мицеллы называют агрегат с потенциалопределяющими ионами).

Ядро мицеллы имеет значительный заряд и притягивает из раствора противоположно заряженные ионы (противоионы). В данном случае это ионы NO3-.

Противоионы в мицелле образуют два слоя, которые различаются по силе их притяжения к ядру – относительно плотный адсорбционный слой противоионов (в котором реализуется достаточно сильное электростатическое взаимодействие противоионов с зарядом ядра) и более удаленный от ядра диффузный слой («размытый») (в котором противоионы притягиваются к ядру намного меньше вследствие ослабления (экранирования) заряда ядра противоионами адсорбционного слоя). Противоионы адсорбционного слоя вместе с ядром образуют единую структуру относительно постоянного состава – коллоидную частицу.

Заряд коллоидной частицы имеет большое значение для протекания многих процессов с участием дисперсных систем и, в частности, является фактором их агрегативной устойчивости, т. к. одноименно заряженные частицы отталкиваются за счет электростатического взаимодействия, что препятствует их агрегации.

Совокупность противоионов диффузного («размытого») слоя компенсируют заряд коллоидной частицы и вместе они образуют электрически нейтральную

мицеллу.

Мицеллы являются структурными единицами дисперсной фазы золей, которые часто называют коллоидными растворами. Это исторически сложившееся название. Необходимо помнить различие между истинными (молекулярными, ионными) и коллоидными растворами.

Источник: https://studfile.net/preview/1826271/page:16/

Теория Штерна

Теория Штерна

Немецкий психолог Вильям Штерн (1871-1938) получил образование в Берлинском университете, где он учился у Г.Эббингауза. После получения докторской степени его приглашают в 1897 году в университет в Бреслау, где он проработал профессором психологии до 1916 года.

Оставаясь профессором этого университета, Штерн основывает в 1906 году в Берлине Институт прикладной психологии и одновременно начинает издание «Журнала прикладной психологии», в котором он, вслед за Мюнстербергом, развивает концепцию психотехники. Однако наибольший интерес у него вызывают исследования психического развития детей.

Поэтому он в 1916 году принимает предложение стать преемником детского психолога Э.Меймана на посту заведующего психологической лабораторией в Гамбургском университете и редактора «Журнала по педагогической психологии». В это время Штерн является также одним из инициаторов организации Гамбургского психологического института, который был открыт в 1919 году.

В 1933 году Штерн эмигрирует в Голландию, а затем переезжает в США, где ему предложили должность профессора в Дьюкском университете, которую он и занимал до конца жизни.

Штерн был одним из первых психологов, поста вивших в центр своих исследовательских интересов анализ развития личности ребенка. Изучение целостной личности, закономерностей ее формирования было главной задачей разработанной им теории персонализма.

Это было особенно важно в начале века, так как исследования детского развития в то время сводились преимущественно к изучению познавательных процессов. Штерн также уделил внимание этим вопросам, исследуя этапы развития мышления и речи.

Однако он стремился исследовать не изолированное развитие отдельных когнитивных процессов, а формирование целостной структуры, персоны ребенка.

Эта теория получила название теории конвергенции, так как в ней учитывалась роль двух факторов наследственности и среды в психическом развитии. Влияние этих двух факторов Штерн анализировал на примере некоторых основных видов деятельности детей, главным образом игры.

Он впервые выделил содержание и форму игровой деятельности, доказывая, что форма является неизменной и связана с врожденными качествами, для упражнения которых и создана игра. В то же время содержание задается средой, помогая ребенку понять, в какой конкретно деятельности он может реализовать заложенные в нем качества.

Таким образом, игра служит не только для упражнения врожденных инстинктов, но и для социализации детей.

Развитие Штерн понимал как рост, дифференциацию и преобразование психических структур. При этом он, как и представители гештальт-психологии, понимал развитие как переход от смутных, неотчетливых образов к более ясным, структурированным и отчетливым гештальтам окружающего мира.

Этот переход к более четкому и адекватному отражению окружающего проходит через несколько этапов, характерных для всех основных психических процессов. Психическое развитие имеет тенденцию не только к саморазвитию, но и к самосохранению, т.е.

к сохранению врожденных особенностей каждого индивида, прежде всего индивидуального темпа развития.

Штерн стал одним из основателей дифференциальной психологии, психологии индивидуальных различий. Он доказывал, что существует не только общая для всех детей определенного возраста нормативность, но и нормативность индивидуальная, характеризующая конкретного ребенка.

В частности, он усовершенствовал способы измерения интеллекта детей, созданные А.Вине, предложив измерять не умственный возраст, а коэффициент умственного развития IQ.

Сохранение индивидуальных особенностей воз можно благодаря тому, что механизмом психического развития является интроцепция, т.е. соединение человеком своих внутренних целей с теми, которые задаются окружающими.

Потенциальные возможности ребенка при рождении достаточно неопределенны, он сам еще не осознает себя и свои склонности. Среда помогает осознать себя, организует его внутренний мир, придавая ему четкую, оформленную и осознанную структуру.

При этом ребенок старается взять из среды все, что соответствует его потенциальным склонностям, ставя барьер на пути тех влияний, которые противоречат его внутренним наклонностям.

Конфликт между внешним (давлением среды) и внутренними склонностями ребенка имеет и положительное значение, ибо именно отрицательные эмоции, которые вызывает это несоответствие у детей, и служат стимулом для развития самосознания.

Фрустрация, задерживая интроцепцию, заставляет ребенка всмотреться в себя и в окружающее для того, чтобы понять, что именно нужно ему для хорошего самоощущения и что конкретно в окружающем вызывает у него отрицательное отношение. Таким образом, Штерн доказывал, что эмоции связаны с оценкой окружающего, помогают процессу социализации и развитию рефлексии.

Целостность развития проявляется не только в том, что эмоции и мышление тесно связаны между собой, но и в том, что направление развития всех психических процессов идет одинаково от периферии к центру. Поэтому сначала у детей развивается созерцание (восприятие), потом представление (память), а затем мышление.

Этот период, о котором впервые заговорил Штерн, стал потом отправной точкой в исследованиях речи практически для всех ученых, занимавшихся этой проблемой.

Выделив пять основных этапов в развитии речи у детей, Штерн не только детально описал их, но и выделил основные тенденции, определяющие это развитие, главной из которых является переход от пассивной речи к активной и от слова к предложению.

Большое значение имело исследование Штерном своеобразия аутистического мышления, его сложности и вторичности по отношению к реалистическому, а также анализ роли рисования в психическом развитии детей. Главным здесь является обнаружение роли схемы, помогающей детям перейти от представлений к понятиям. Эта идея Штерна помогла открытию новой формы мышления наглядно-схематического, или модельного.

Таким образом, можно без преувеличения сказать, что В.Штерн повлиял практически на все области детской психологии (от изучения когнитивных процессов до личности, эмоций, периодизации детского развития), как и на взгляды многих психологов, занимавшихся проблемами психики ребенка.

Список литературы

М.Г.Ярошевский. Теория Штерна

Источник: https://www.studsell.com/view/178420/

Читать

Йоханан Петровский-Штерн

Евреи в русской армии, 1827–1914 гг.

Светлой памяти моего деда, Семена Васильевича Петровского (1897–1972), вольноопределяющегося русской армии времен Первой мировой войны, посвящаю эту книгу

ОТ АВТОРА

Если бы не безотказная помощь друзей и коллег, эта книга вряд ли бы состоялась.

Моя особая и неизменная признательность моим друзьям Генри Абрамсону (университет Флорида Атлантик, Бока Ратон), Полу Раденскому (Еврейская Теологическая Семинария, Нью-Йорк) и Бену Нэйтансу (Пенсильванский университет, Филадельфия) — именно они десять лет назад подсказали мне, что еврейская история и культура Восточной Европы — благодатнейшая тема, во много раз более интересная, чем сухое эскапистское литературоведение, которым я тогда занимался. Работа синхронным переводчиком сблизила меня с профессорами Гершоном Хундертом (университет МакГилл, Монреаль) и Моше Росманом (университет Бар-Илан, Рамат Ган), познакомившими меня с новыми исследованиями в области польской еврейской истории XVII–XIX веков. Решающим для меня был год, проведенный в Еврейском университете (Иерусалим), где мне посчастливилось работать под руководством доктора Шауля Штампфера, пробудившего мой интерес к социокультурному аспекту еврейской истории.

Слова — вещь ограниченная; они не способны передать всей моей признательности моему научному руководителю профессору Энтони Полонскому (университет Брандейз, Бостон), чье профессиональное и личное участие помогли мне завершить и успешно защитить диссертацию «Jews in the Russian Army: Through the Military to Modernity, 1827–1914», значительная часть которой вошла в эту книгу. Моя особая благодарность всем тем, кто прочитал английский вариант рукописи и сделал целый ряд важных замечаний. Это прежде всего профессора Грегори Фриз (Брандейз), Джон Клир (Университетский колледж, Лондон) и Майкл Станиславский (Колумбийский университет, Нью-Йорк). Я признателен профессору Цви Гительману (Мичиганский университет, Анн Арбор), чьей поддержкой я пользовался на всех этапах своих научных поисков. Моя огромная признательность профессору Александру Степанскому (РГГУ, Москва), согласившемуся познакомиться с рукописью книги на самом последнем этапе моей работы и уберегшему меня от нескольких бездоказательных высказываний.

В этом смысле занятия классическими иудейскими текстами с профессором Артуром Грином (Брандейз), Давидом Кажданом (Гарвард) и — увы — покойным профессором Исадором Тверским (Гарвард) во многом помогли мне сохранить mens sano in corpore sano.

He могу не упомянуть моих ближайших (старших и младших) коллег, щедро делившихся со мной своими знаниями в самых разных областях истории русской культуры. Среди них — мои учители Мирон Петровский и Вадим Скуратовский (Киев).

Моя особая благодарность моим коллегам и консультантам по русской военной истории — Ярославу Тынченко (Киев) и Алексею Васильеву (Москва).

В архивных и библиотечных поисках мне всегда сопутствовали добрый совет и безотказная помощь Татьяны Бурмистровой (РГВИА, Москва), Вениамина Лукина (Центральный архив истории еврейского народа, Иерусалим), Зэкэри Бейкера (университет Стэнфорд).

Моя искренняя признательность всем тем, кто помог мне собрать фотографии для этой книги — М. Кальницкому, В. Киркевичу, Л. Финбергу, Е. Царовской, Е. Школяренко, В. Попову, сотрудникам Института Иудаики Украины (Киев), Б. Гельману (Севастополь), В. Кельнеру и В. Дымшицу (Санкт-Петербург).

• Я в неоплатном долгу перед моей женой, Оксаной Петровской, второй раз в жизни согласившейся принести в жертву материальное благополучие семьи и собственную карьеру ради интеллектуального и духовного роста своего неуемного мужа.
• На разных этапах изучения восточноевропейской еврейской истории и культуры я опирался на финансовую поддержку Мемориального фонда еврейской культуры (1993, 1997, 1998, 2002), Фонда Ротшильда (Яд Ха-Надив, 1995–1996) и Рут Анн Перлмуттер, чей щедрый грант (1996–2000) позволил мне завершить работу над докторской диссертацией.
• Разумеется, я, и только я, несу ответственность за все ошибки этой книги.

ТЕМА И МЕТОД

Судьба полутора-двух миллионов евреев, служивших между 1827 и 1914 годами в русской армии, — неотъемлемая часть истории восточноевропейского еврейства.

В России, как и везде в обновляющейся Европе, модернизация означала расширение категорий населения империи, подлежащих призыву, преобразование рекрутской службы во всесословную воинскую повинность и, разумеется, техническое перевооружение армии{1}.

Как и в других странах Европы, процесс модернизации общества вовлек евреев — в числе многих других периферийных этносоциальных групп — в деятельность общества и государства{2}. Однако в отличие от других европейских стран распространение рекрутской повинности на евреев России — николаевское нововведение 1827 г.

 — оказалось первым, небезболезненным и, пожалуй, наиболее эффективным экспериментом, преследующим чрезвычайно важную цель: превратить евреев России, изолированных от жизни русского общества, решительно отличающихся от населения империи по языку и культуре и все еще живущих по законам Речи Посполитой XVI–XVIII вв., в совершенно новый тип современного еврейства: в русских евреев.

Именно армия стала той особой школой, в которой сформировался, пользуясь выражением Жана-Поля Берто, «солдат-гражданин», особая человеческая личность Новейшего времени. Распространение призыва на евреев должно было служить их интеграции в современное общество.

Австрия допустила евреев к военной службе в 1788 г., Франция — в 1792-м, Пруссия — в 1813-м{3}. В Западной Европе за призывом евреев в армию последовало распространение на евреев гражданского равноправия.

Воинская повинность оказалась важной составляющей эмансипации европейских евреев и ее незаменимым катализатором.

Призыв евреев в армию отразился и на западном обществе, и на самих евреях. С одной стороны, призвав евреев в армию, современное общество Франции или Австрии перестало относиться к ним как к некоему чужеродному телу.

С другой стороны, под влиянием службы в армии изменилось представление евреев о роли и месте еврейского общества в европейском государстве. Такая переоценка весьма способствовала преобразованию евреев в современную политическую нацию{4}.

Служба евреев в русской армии — составная часть этого процесса, в котором, бесспорно, отразились характерные черты русско-еврейской истории.

В отличие от всех остальных попыток преобразования еврейского населения империи — экономических, социальных, культурных — военная служба наиболее последовательно воплотила в жизнь идею сближения (слияния) евреев и русского общества, правда, разумеется, не без определенных противоречий, характерных для еврейской политики Российской империи, со всеми необходимыми оговорками, обусловленными самим характером военной службы. Армия — в отличие от любой другой государственной институции России — санкционировала и законодательно закрепила для отслуживших евреев право селиться за пределами черты оседлости, благодаря чему во всех внутренних губерниях России образовались первые еврейские общины — за шестьдесят лет до фактической отмены черты оседлости. Армия (разумеется, в своей особой манере) воспитала сотни тысяч евреев, грамотных, способных изъясняться по-русски, хорошо знакомых с правами и обязанностями русского подданного, а также с русскими культурными — и не очень культурными — традициями.

Источник: https://www.litmir.me/br/?b=597030&p=129